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Référence fabricant | MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 64Gb (1G x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR-FT |
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4PV-062 WT:C
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel