maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C
Référence fabricant | MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 32Gb (512M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C-FT |
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel