maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR
Référence fabricant | MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 24Gb (384M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR-FT |
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel