maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B
Référence fabricant | MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 6Gb (384M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B-FT |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1Z00NEC2
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel