maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B128M32D1NP-062 AUT:A
Référence fabricant | MT53B128M32D1NP-062 AUT:A |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B128M32D1NP-062 AUT:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 4Gb (128M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B128M32D1NP-062 AUT:A-FT |
MT49H32M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel