maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53B1024M64D8WF-062 WT:D
Référence fabricant | MT53B1024M64D8WF-062 WT:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B1024M64D8WF-062 WT:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 64Gb (1G x 64) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B1024M64D8WF-062 WT:D-FT |
MT49H32M18CFM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel