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Référence fabricant | MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 1600MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR-FT |
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1V01MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel