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Référence fabricant | MT52L256M64D2GN-107 WT:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L256M64D2GN-107 WT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L256M64D2GN-107 WT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2GN-107 WT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L256M64D2GN-107 WT:B-FT |
MT49H16M36BM-18 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18:B TR
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MT49H16M36BM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25 IT:B TR
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MT49H16M36BM-25:A
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MT49H16M36BM-25:A TR
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MT49H16M36BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-25:B TR
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