maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR
Référence fabricant | MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 8Gb (512M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1067MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR-FT |
MT49H16M36FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel