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Référence fabricant | MT49H32M18BM-25E:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT49H32M18BM-25E:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H32M18BM-25E:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 576Mb (32M x 18) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 15ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-µBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18BM-25E:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H32M18BM-25E:B-FT |
MT47H64M16NF-25E XIT:M
Micron Technology Inc.
MT47H64M16NF-25E:M
Micron Technology Inc.
MT47H64M16U88BWC1
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CF-25E L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-187E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47R256M8EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47R512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel