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Micron Technology Inc. MT47R512M4EB-25E:C

Name: MT47R512M4EB-25E:C
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT47R512M4EB-25E:C
Availability: InStock
Rating: 4.9 (112 reviews)

Numéro de pièce MFG: MT47R512M4EB-25E:C

quantité disponible: 61890 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MT47R512M4EB-25E:C.pdf

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MT47R512M4EB-25E:C Caractéristiques

Référence fabricant	MT47R512M4EB-25E:C
Numéro de pièce future	FT-MT47R512M4EB-25E:C
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MT47R512M4EB-25E:C Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	DRAM
La technologie	SDRAM - DDR2
Taille mémoire	2Gb (512M x 4)
Fréquence d'horloge	400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	15ns
Temps d'accès	400ps
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.55V ~ 1.9V
Température de fonctionnement	0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur	60-FBGA (9x11.5)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47R512M4EB-25E:C Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MT47R512M4EB-25E:C-FT

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