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Référence fabricant | MT47H64M8SH-25E IT:H |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H64M8SH-25E IT:H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H64M8SH-25E IT:H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8SH-25E IT:H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H64M8SH-25E IT:H-FT |
MT46H64M32LFCX-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 AT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel