maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT49H32M18BM-25:B
Référence fabricant | MT49H32M18BM-25:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT49H32M18BM-25:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H32M18BM-25:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 576Mb (32M x 18) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-µBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18BM-25:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H32M18BM-25:B-FT |
MT47H64M16NF-25E AUT:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16NF-25E IT:M
Micron Technology Inc.
MT47H64M16NF-25E XIT:M
Micron Technology Inc.
MT47H64M16NF-25E:M
Micron Technology Inc.
MT47H64M16U88BWC1
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CF-25E L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-187E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E IT:H
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MT47H64M8SH-25E:H
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