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Référence fabricant | MT52L256M64D2LZ-107 WT:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT52L256M64D2LZ-107 WT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.2V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT52L256M64D2LZ-107 WT:B-FT |
MT40A512M16JY-075E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E IT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AUT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-075:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-075:E TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel