maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A512M16JY-075E:B
Référence fabricant | MT40A512M16JY-075E:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A512M16JY-075E:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A512M16JY-075E:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (512M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1.33GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16JY-075E:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A512M16JY-075E:B-FT |
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel