maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
Référence fabricant | MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D-FT |
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel