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Référence fabricant | MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR-FT |
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1DAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PK-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PK-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PR-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PT-1D-F-D
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel