maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A512M16LY-062E:E
Référence fabricant | MT40A512M16LY-062E:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A512M16LY-062E:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A512M16LY-062E:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (512M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1.6GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16LY-062E:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A512M16LY-062E:E-FT |
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation