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Référence fabricant | MT49H32M18SJ-25E:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT49H32M18SJ-25E:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H32M18SJ-25E:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 576Mb (32M x 18) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 15ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-FBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18SJ-25E:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H32M18SJ-25E:B TR-FT |
MT47H32M8BP-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-37E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E L:D TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel