maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H512M4THN-3:E TR
Référence fabricant | MT47H512M4THN-3:E TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT47H512M4THN-3:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H512M4THN-3:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (512M x 4) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 450ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-FBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-FBGA (9x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H512M4THN-3:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H512M4THN-3:E TR-FT |
MT46V32M16BN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75:C
Micron Technology Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel