maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H64M4BP-37E:B TR
Référence fabricant | MT47H64M4BP-37E:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H64M4BP-37E:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H64M4BP-37E:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 256Mb (64M x 4) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 500ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-FBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M4BP-37E:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H64M4BP-37E:B TR-FT |
MT46V32M16BN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75 L:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-75:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16FN-5B:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel