maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT49H32M18CSJ-18:B
Référence fabricant | MT49H32M18CSJ-18:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT49H32M18CSJ-18:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H32M18CSJ-18:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 576Mb (32M x 18) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 15ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-FBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18CSJ-18:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H32M18CSJ-18:B-FT |
MT47H256M4HQ-187E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-5E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-37E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:E TR
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel