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Référence fabricant | MT47H256M4HQ-187E:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H256M4HQ-187E:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H256M4HQ-187E:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (256M x 4) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 350ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-FBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M4HQ-187E:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H256M4HQ-187E:E TR-FT |
MT46V16M16BG-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-5B:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6 L:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6 L:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-75:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-75:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:F
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel