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Référence fabricant | MT46V256M4TG-75:A TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V256M4TG-75:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V256M4TG-75:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 1Gb (256M x 4) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 750ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 66-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V256M4TG-75:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V256M4TG-75:A TR-FT |
MT47H32M16BN-3 IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-37E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-37E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-5E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16CC-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M16CC-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16CC-37E L:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M16CC-37E L:B TR
Micron Technology Inc.