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Référence fabricant | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D |
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Numéro de pièce future | FT-MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D-FT |
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation