maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR
Référence fabricant | MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 32Gb (4G x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 100-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 100-VBGA (12x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR-FT |
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel