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Référence fabricant | MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E-FT |
MT29E1T08CUCCBH8-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel