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Référence fabricant | MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Tb (512G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR-FT |
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel