maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR
Référence fabricant | MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 3Tb (384G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR-FT |
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
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Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
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