maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR
Référence fabricant | MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 3Tb (384G x 8) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR-FT |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel