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Référence fabricant | MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 3Tb (384G x 8) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR-FT |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel