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Référence fabricant | MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR-FT |
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel