maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR
Référence fabricant | MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR-FT |
MT29F1G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel