maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR
Référence fabricant | MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (128M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR-FT |
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABAWP:B
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel