maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR
Référence fabricant | MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR-FT |
MT29F1T08CPCABH8-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCBBH8-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCCBH8-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCCBH8-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPECBH8-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CQCCBG2-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CQCCBG2-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUCABH8-6:A
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel