maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR
Référence fabricant | MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 83MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR-FT |
MT29F1T08CMHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCABH8-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCABH8-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCBBH8-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCCBH8-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPCCBH8-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CPECBH8-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CQCCBG2-6C:C
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel