maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
Référence fabricant | MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Tb (128G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR-FT |
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA364A3PM-GD-F-D
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW9-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW9-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA1EW7-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel