maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT25QL256ABA1EW9-0AAT
Référence fabricant | MT25QL256ABA1EW9-0AAT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT25QL256ABA1EW9-0AAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
MT25QL256ABA1EW9-0AAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 2.8ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WPDFN (6x8) (MLP8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QL256ABA1EW9-0AAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT25QL256ABA1EW9-0AAT-FT |
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel