maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSCD200-12
Référence fabricant | MSCD200-12 |
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Numéro de pièce future | FT-MSCD200-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSCD200-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 9mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D2 |
Package d'appareils du fournisseur | SD2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD200-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSCD200-12-FT |
APT2X61DC120J
Microsemi Corporation
APT2X101D20J
Microsemi Corporation
APT2X61D60J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X30D120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X100D60J
Microsemi Corporation
APT2X51DC120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ120J
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel