maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / APT2X101DQ120J
Référence fabricant | APT2X101DQ120J |
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Numéro de pièce future | FT-APT2X101DQ120J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT2X101DQ120J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3V @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 385ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT2X101DQ120J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT2X101DQ120J-FT |
PMEG2005CT,215
Nexperia USA Inc.
BAS70-06,215
Nexperia USA Inc.
BAW156,215
Nexperia USA Inc.
BAS40-04,215
Nexperia USA Inc.
BAV23A,215
Nexperia USA Inc.
BAV74,215
Nexperia USA Inc.
BAV170,215
Nexperia USA Inc.
BAS40-04,235
Nexperia USA Inc.
BAT54A,235
Nexperia USA Inc.
BAT54C,235
Nexperia USA Inc.
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel