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Référence fabricant | APT2X51DC120J |
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Numéro de pièce future | FT-APT2X51DC120J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT2X51DC120J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 50A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT2X51DC120J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT2X51DC120J-FT |
BAV74,215
Nexperia USA Inc.
BAV170,215
Nexperia USA Inc.
BAS40-04,235
Nexperia USA Inc.
BAT54A,235
Nexperia USA Inc.
BAT54C,235
Nexperia USA Inc.
BAS35,215
Nexperia USA Inc.
BAT754S,215
Nexperia USA Inc.
BAV199,215
Nexperia USA Inc.
BAS101S,215
Nexperia USA Inc.
BAV23C,215
Nexperia USA Inc.
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel