maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV23C,215
Référence fabricant | BAV23C,215 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV23C,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV23C,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 225mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV23C,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV23C,215-FT |
1PS88SB82,165
Nexperia USA Inc.
BAS70XY,115
Nexperia USA Inc.
BAT54XYH
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07S,115
Nexperia USA Inc.
BAS40XY,115
Nexperia USA Inc.
BAT74S,115
Nexperia USA Inc.
BAT754L,115
Nexperia USA Inc.
1PS88SB48,115
Nexperia USA Inc.
BAS16VY,125
Nexperia USA Inc.
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel