maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS16VY,125
Référence fabricant | BAS16VY,125 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS16VY,125 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS16VY,125 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16VY,125 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS16VY,125-FT |
LDR11466
Powerex Inc.
LDR11866
Powerex Inc.
LDR11666
Powerex Inc.
LD411660
Powerex Inc.
CDD11610
Powerex Inc.
CD611616C
Powerex Inc.
CD611616B
Powerex Inc.
CD610816B
Powerex Inc.
CD412499C
Powerex Inc.
CD411699C
Powerex Inc.
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel