maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS35,215
Référence fabricant | BAS35,215 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS35,215 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS35,215 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 90V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS35,215 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS35,215-FT |
BAV70S,135
Nexperia USA Inc.
BAV99S,135
Nexperia USA Inc.
BAS16VY,115
Nexperia USA Inc.
BAV756S,115
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,165
Nexperia USA Inc.
BAS70XY,115
Nexperia USA Inc.
BAT54XYH
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07S,115
Nexperia USA Inc.
BAS40XY,115
Nexperia USA Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel