maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MS2272
Référence fabricant | MS2272 |
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Numéro de pièce future | FT-MS2272 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS2272 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Fréquence - Transition | 960MHz ~ 1.215GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 7.6dB |
Puissance - Max | 940W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 24A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | M216 |
Package d'appareils du fournisseur | M216 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS2272 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS2272-FT |
BFS 386L6 E6327
Infineon Technologies
BFS 460L6 E6327
Infineon Technologies
BFS 466L6 E6327
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BFS 469L6 E6327
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BFY193PZZZA1
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C1-28Z
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CEN1107
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CEN1107 APM
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CM4957
Central Semiconductor Corp
CMPTH10 BK
Central Semiconductor Corp
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
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EP4SE530H35C2
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EP4SE820H35I4
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LFXP2-30E-5FTN256C
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5CEBA9U19C8N
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10AX090H3F34I2SG
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EP4SGX110HF35I4N
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