maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFS 466L6 E6327
Référence fabricant | BFS 466L6 E6327 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BFS 466L6 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFS 466L6 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 5V, 9V |
Fréquence - Transition | 22GHz, 14GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
Gain | 12dB ~ 17dB |
Puissance - Max | 200mW, 210mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 20mA, 3V / 90 @ 15mA, 3V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA, 35mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-XFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TSLP-6-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFS 466L6 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFS 466L6 E6327-FT |
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
40033
Microsemi Corporation
40036S
Microsemi Corporation
40036ST
Microsemi Corporation
42105
Microsemi Corporation
42106HS
Microsemi Corporation
42107HS
Microsemi Corporation
42108HS
Microsemi Corporation
42126
Microsemi Corporation
44010
Microsemi Corporation
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP2C15AF256C6N
Intel
5SGXMB5R3F43I3N
Intel
EP4CGX30BF14I7N
Intel
A40MX02-3PL44
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C4N
Intel
EPF6024AQC240-2N
Intel