maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFY193PZZZA1
Référence fabricant | BFY193PZZZA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFY193PZZZA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFY193PZZZA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 7.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
Gain | 12.5dB ~ 13.5dB |
Puissance - Max | 580mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | MICRO-X1 |
Package d'appareils du fournisseur | MICRO-X1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFY193PZZZA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFY193PZZZA1-FT |
40036S
Microsemi Corporation
40036ST
Microsemi Corporation
42105
Microsemi Corporation
42106HS
Microsemi Corporation
42107HS
Microsemi Corporation
42108HS
Microsemi Corporation
42126
Microsemi Corporation
44010
Microsemi Corporation
44022H
Microsemi Corporation
44086H
Microsemi Corporation
XC3S700A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC4085XLA-08HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FFGG484
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP2AGX125DF25C6
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3
Intel