maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFY193PZZZA1
Référence fabricant | BFY193PZZZA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFY193PZZZA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFY193PZZZA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 7.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
Gain | 12.5dB ~ 13.5dB |
Puissance - Max | 580mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | MICRO-X1 |
Package d'appareils du fournisseur | MICRO-X1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFY193PZZZA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFY193PZZZA1-FT |
40036S
Microsemi Corporation
40036ST
Microsemi Corporation
42105
Microsemi Corporation
42106HS
Microsemi Corporation
42107HS
Microsemi Corporation
42108HS
Microsemi Corporation
42126
Microsemi Corporation
44010
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
44086H
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
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5CGXBC4C6F27C7N
Intel
EPF10K200EBC600-2
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10CX220YF780E5G
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5SGXEA9N3F45I3L
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5SGXEB9R2H43I3N
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LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation