maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / MMBZ27VDA-G3-18
Référence fabricant | MMBZ27VDA-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MMBZ27VDA-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ27VDA-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 225mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 80nA @ 22V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ27VDA-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBZ27VDA-G3-18-FT |
DZ23C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-3N
Intel
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-VQG100A
Microsemi Corporation
EP4CE55F23A7N
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I4LN
Intel
EP4SGX230FF35C3NES
Intel