maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / DZ23C3V0-HE3-18
Référence fabricant | DZ23C3V0-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C3V0-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C3V0-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C3V0-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C3V0-HE3-18-FT |
DZ23C10-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C11-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P250-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256I
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG256
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8L
Intel
5SGXEA5N2F40C2N
Intel
XC2V2000-5BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG144
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG144M
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F23I7N
Intel