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Référence fabricant | DZ23C11-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C11-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C11-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 8.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C11-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C11-E3-08-FT |
AZ23C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG320C
Xilinx Inc.
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ176
Microsemi Corporation
A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7
Intel
LFXP6C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C4N
Intel
EP20K100FC324-2
Intel