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Référence fabricant | DZ23C39-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C39-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C39-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 28V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C39-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C39-HE3-18-FT |
DZ23B5V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23B5V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23B6V8-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23B6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23B6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C10-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
EP20K30ETC144-3
Intel
XC6SLX75T-2CSG484C
Xilinx Inc.
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQ208
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3FT324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35I2N
Intel